HYG016N04LS1B دیتاشیت

HYG016N04LS1B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG016N04LS1B
حجم فایل 65.303 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HYG016N04LS1B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG016N04LS1B
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 200W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 43.6nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5.894nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 240A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.9V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 53pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.4mΩ@10V,40A
  • Package: TO-263-3
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه